“冗余图形”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果247603个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]改版冗余图形填充方法、系统及电子设备-CN202310626845.0在审
发明人：曹云;李佳佳;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种改版冗余图形填充方法、系统及电子设备，包括：提供改版版图，改版版图具有改版版图层次；获得改版冗余图形可填充区域；获得位于改版冗余图形可填充区域内的冗余图形作为第一冗余图形区；获得相邻改版版图层次中的区域外组合冗余图形；在变形固定组合冗余图形库中，获得区域外组合冗余图形对应的位于改版冗余图形可填充区域外的变形冗余图形作为第二冗余图形区；将改版版图层次中的独立冗余图形作为第三冗余图形区；将第一冗余图形区、第二冗余图形区及第三冗余图形区合并为改版版图层次的改版冗余图形，将改版冗余图形填充至改版冗余图形可填充区域内，实现对改版版图进行改版冗余图形的填充。
改版冗余图形填充方法系统电子设备

[发明专利]半导体器件版图结构-CN202310692640.2有效
发明人：张振;陈星;王焕琛 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构，包括第一互连图形层、第二互连图形层至第n互连图形层，第一互连图形层包括位于冗余图形区的至少两个第一冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形，第二互连图形层至第n互连图形层均包括位于冗余图形区的至少两个第二冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形；第三冗余金属图形、第四冗余金属图形和第二冗余金属图形的面积均不同，第四冗余金属图形与第二冗余金属图形的形状不同，第四冗余金属图形与第三冗余金属图形的形状不同，可以提高冗余图形区的图形填充率，提高冗余图形区的图形均匀性，由此改善实际半导体器件制备中化学机械研磨的负载效应，避免互连层间短路和互连层表面凹陷。
半导体器件版图结构

[发明专利]冗余金属的填充方法-CN201911368197.3在审
发明人：曹云;于明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余图形的填充方法，包括：提供一版图，所述版图上设置有主图形区和冗余图形区；提供至少三组待填充的冗余图形；计算各组所述冗余图形在所述冗余图形区中的图形密度；按照所述图形密度从大到小的顺序将各组所述冗余图形依次填充在所述冗余图形区中本发明中，先填充图形密度大的所述冗余图形可以快速提升所述冗余图形区的有效图形密度；进一步的，按照所述图形密度从大到小的顺序填充所述冗余图形，可以有效减小冗余图形的图形密度差异，从而使得在整个晶片上(主图形区和冗余图形区)达到均匀的有效图形密度，从而改善微负荷效应。
冗余金属填充方法

[发明专利]半导体器件版图结构及其形成方法-CN202210844793.X有效
发明人：张振;陈星;王焕琛;陈世昌 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构及其形成方法，半导体器件版图结构的冗余图形区具有至少两个第一冗余图形和至少两个第二冗余图形，每个第一冗余图形包括与器件图形区的有源区图形相同的一个第一冗余有源区图形，以及位于第一冗余有源区图形上的至少两个与器件图形区的栅极图形相同的第一冗余栅极图形，每个第二冗余图形包括一个第二冗余有源区图形以及位于第二冗余有源区图形上的一个第二冗余栅极图形，第二冗余栅极图形的投影在第二冗余有源区图形的投影内。通过第二冗余图形与第一冗余图形相配合，可增加冗余图形区的图形密度，改善化学机械研磨工艺以及刻蚀工艺的均匀性，进而改善有源区尺寸以及栅极尺寸的差异性，并避免器件间的短路。
半导体器件版图结构及其形成方法

[发明专利]一种冗余图形添加方法-CN201811013506.0在审
发明人：姜立维;魏芳;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开一种冗余图形添加方法，包括：步骤S1：将版图按预设窗口大小进行切割；步骤S2：计算各窗口内原始版图的图形密度及有效周长；步骤S3：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的有效周长为目标，选取预设的冗余图形之结构形式进行添加；步骤S4：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的图形密度为目标，对添加的冗余图形进行调整。本发明以图形的有效周长为目标，通过选取适当结构形式的冗余图形进行添加，随后针对添加冗余图形后的图形密度进行调整，最终实现既能满足图形有效周长，又能满足图形密度的冗余图形之添加，为后续薄膜沉积或薄膜生长提供均匀的晶片反应接触表面
冗余图形有效周长预设器件可靠性薄膜沉积薄膜生长原始版图均匀性沉积晶片薄膜切割生长保证

[发明专利]一种冗余图形添加方法-CN201810504050.1在审
发明人：姜立维;魏芳;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开一种冗余图形添加方法，包括：步骤S1：预定义冗余图形大小、间距，以及偏移；步骤S2：计算填充区域；步骤S3：冗余图形添加；步骤S4：将添加冗余图形后的版图按照m×n大小切割；步骤S5：计算各切割窗口内冗余图形密度；步骤S6：计算各切割窗口内冗余图形和原始图形的图形密度和与密度目标值之间的差值；步骤S7：以上述差值为冗余图形补偿值，计算各切割窗口冗余图形改变比率；步骤S8：对各切割窗口内添加的冗余图形按照改变比率进行缩小或者放大处理本发明不仅能够将各切割窗口之间的密度梯度降低到合理的程度，而且极大的改善了各添加窗口内的冗余图形分布，避免了添加窗口内的冗余图形分布不均，提高产品良率。
冗余图形切割产品良率放大处理密度梯度原始图形预定义偏移填充

[发明专利]ECO改版改变冗余图形填充方法、终端设备和存储介质-CN202011562072.7在审
发明人：张逸中;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ECO改版冗余图形填充方法，包括：从ECO改版前版图数据中，将冗余填充图形和非冗余填充图形分别抽取出来；将提取的非冗余填充图形与ECO改版版图图形进行层与层的差异对比，并在有差异位置生成标定识别层；保留标定识别层外的冗余填充图形，移除标定识别层内的冗余填充图形，形成第一中间版图图形；根据ECO改版版图图形数据，在第一中间图形数据标定识别层范围内重新插入并优化冗余图形，形成第二中间版图图形；将第一中间版图图形和第二中间版图图形合并得到最终本发明能够有效地避免ECO造成冗余图形发生位移等问题，缩短了冗余图形的填充周期，同时极大程度的减小了冗余图形对工艺的影响，提高了工艺的稳定性。
eco 改版改变冗余图形填充方法终端设备存储介质

[发明专利]类晶体管冗余图形添加方法及存储介质-CN202210597555.3在审
发明人：李佳佳;曹云;魏芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种类晶体管冗余图形添加方法，包括：选出类晶体管冗余图形的可添加区域；在可添加区域添加类晶体管冗余图形；拆分定义类晶体管冗余图形单元定义可重复区域和可拉伸区域；根据类晶体管冗余图形单元距离避开区域边界的最小距离判断是否对该类晶体管冗余图形单元进行复制和/或拉伸；沿类晶体管冗余图形第一方向复制可重复的栅区域；和/或，沿类晶体管冗余图形第二方向拉伸可拉伸的栅区域；将无处理的类晶体管冗余图形与部分区域复制拉伸后的类晶体管冗余图形合并。本发明相对现有技术能提高类晶体管冗余图形的添加量，实现更充分冗余图形添加，使得版图分布更加均匀，进而降低工艺制造过程中的制造缺陷，提升产品良率和可靠性。
晶体管冗余图形添加方法存储介质

[发明专利]闪存存储器及其版图结构-CN202210807510.4有效
发明人：乔学军;周盼盼;沈安星 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存存储器及其版图结构，闪存存储器版图结构的冗余栅极图形包括连接为一体的冗余选择栅图形和冗余控制栅图形，即冗余选择栅图形和冗余控制栅图形为一个整体，在闪存存储器的制造过程中，通过冗余选择栅图形所定义的冗余选择栅与通过冗余控制栅图形所定义的控制栅相接触如此一来，由冗余控制栅和冗余选择栅构成的冗余栅极的整体尺寸较大，增加了冗余栅极与其底部膜层的接触面积。由此，在闪存存储器的制造过程中，冗余栅极不易剥落，特别的，可以避免冗余栅极在清洗工艺中剥落，从而可以解决冗余栅极剥落的问题。
闪存存储器及其版图结构

[发明专利]冗余图形的填充方法-CN201110312357.X有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种冗余图形的填充方法，包括步骤：1)根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域；2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边，环状填充冗余图形该方法将不可填充区域的边界作为填充算法的起始边，环状插入冗余图形，如此，保证了在需要冗余图形保护的器件周围，优先插入冗余图形，从而得以更好地保证器件的良率。
冗余图形填充方法

[发明专利]一种冗余图形的填充方法-CN201410161258.X无效
发明人：郜彬;于世瑞;陈权;毛智彪;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种冗余图形的填充方法，包括提供芯片版图并通过逻辑运算获得冗余图形的填充区域；基于设计规则在所述冗余图形的填充区域中填充冗余图形；将所述芯片版图划分为多个不重合的窗口；以及计算各所述窗口在填充所述冗余图形后的图形密度并判断所述图形密度是否超出预定范围，若超出则通过逻辑运算移除该窗口内的冗余图形并填充新的冗余图形，以使各所述窗口的最终图形密度调整在所述预定范围内。本发明能够有效提高图形层密度的均匀性。
一种冗余图形填充方法

[发明专利]优化冗余图形的方法-CN202010884240.8在审
发明人：姜立维;朱忠华;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种冗余图形添加优化的算法，包括：查找出版图图形的正向异常的区域和负向异常的区域；对正向异常的区域的图形进行正向异常区域的冗余图形的优化和负向异常的区域的图形进行负向异常区域的冗余图形的优化；化学机械平坦化模型预测优化后的冗余图形的表面形貌；若预测的表面形貌达到设定值，则对版图中添加的冗余图形优化成功。本发明优化了已有冗余图形，并且将化学机械平坦化模型预测优化后的冗余图形的表面形貌作为添加的冗余图形的反馈手段，可以对不同产品间各层次的版图局部图形分布的均匀性进行优化，进而提高冗余图形添加的优化效果，提高工艺加工后各层次表面形貌的均匀性
优化冗余图形方法

[发明专利]一种划分高填充率冗余图形的方法-CN201210432405.3无效
发明人：阚欢;张旭昇;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种划分高填充率冗余图形的方法，包括以下顺序步骤：首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。本发明提供的划分高填充率冗余图形的方法能形成具有高填充率冗余图形，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。
一种划分填充冗余图形方法

[发明专利]一种冗余图形的填充方法-CN201410106665.0在审
发明人：陈权;于世瑞;郜彬 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余图形的填充方法，通过填充冗余图形的软件，首先将在版图全部区域内填充冗余图形，然后选出冗余图形的禁止区域，再运用布尔运算把位于禁止区域内的冗余图形去掉，通过上述方法可以实现更大面积的冗余图形填充，从而提高整个版图的图形密度，进而提高晶圆在刻蚀后线宽均一性以及化学机械研磨后平坦度。
一种冗余图形填充方法

[发明专利]一种冗余图形添加方法-CN201811014864.3有效
发明人：姜立维;魏芳;曹云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开一种冗余图形添加方法，包括：执行步骤S1：将版图按预设窗口SW大小进行切割；执行步骤S2：计算各窗口内原始版图的图形密度及有效周长；执行步骤S3：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的图形密度为目标，选取预设的冗余图形进行添加；执行步骤S4：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的有效周长为目标，对添加的冗余图形进行合并或者拆分调整。本发明当对冗余图形进行合并或者拆分调整时，可以实现在保证图形之面积即图形密度不变的情况下实现图形之有效周长的减少或者增大，进而实现图形之有效周长的补偿，为后续薄膜沉积或薄膜生长提供均匀的晶片反应接触表面
一种冗余图形添加方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条